Syntéza CrGex nanodrátů

Nanodráty byly připraveny pomocí CVD techniky z prekursorů GeH₄ a Cr(acac)₃. Při teplotě 110 °C se vypařoval Cr(acac)₃, který se v proudu GeH₄ přiváděl do horké zóny 500 °C v peci, kde docházelo k vlastní pyrolýze. Vzniklé nanodráty se skládají z krystalického jádra z elementárního germania a amorfního obalu z CrGe_x slitiny o složení [Cr]:[Ge]=1:(6-7). Odpor systému nanodrát-podložka je 2,7 kW.cm, což nejspíše indikuje hluboká záchytná centra v zakázaném pásu Ge generovaná přítomností Cr atomů. Kromě nanodrátů vznikaly během CVD v depozitu také Ge nanokuličky, které pravděpodobně sloužily jako iniciační centra pro růst CrGe_x nanodrátů.

• Dřínek V., Tiagulskyi S., Yatskiv R., Grym J., Fajgar R., Jandová V., Koštejn M., Kupčík J., Chemical vapor deposition of germanium-rich CrGe_x nanowires. Beilstein J. Nanotechnol. 12, 1365–1371, 2023. DOI